Опилат В. Я.

Опилат
Віталій
Якович

opylat@gmail.com

Акаунт (профіль) в науковометричних базах даних:




Посададоцент
КафедраКафедра нанофізики конденсованих середовищ
Науковий ступінь (ступінь, спеціальність)кандидат фізико-математичних наук
Вчене званнядоцент
ПублікаціїПатент України на винахід, МПК H03K 17/691, H03K 17/78, H03K 17/16. Швидкодіюче твердотільне реле для сигнальних кіл. / В.Я. Опилат, С.В. Тищенко; власник Київський Національний університет імені Тараса Шевченка. - №u201609614; заявл. 19.09.2016, опубл. 10.11.2017 Бюл. №21. Патент України на корисну модель 115580, МПК G05D 23/20. Система керування вентилятором охолодження / В.Я. Опилат, С.В. Тищенко; власник Київський Національний університет імені Тараса Шевченка. - №u201609617; заявл. 19.09.2016, опубл. 25.04.2017, бюл. № 8. Патент України на корисну модель 115180, МПК H03K 17/687, H03K 17/691, H03K 17/78, H03K 17/16. Швидкодіюче твердотільне реле для сигнальних кіл. / В.Я. Опилат, С.В. Тищенко; власник Київський Національний університет імені Тараса Шевченка. - №u201609613; заявл. 19.09.2016, опубл. 10.04.2017, бюл. № 7. Design and manufacture of hardware and software platform of universal measurement complex for research of deep level defects in semiconductors”/ Tyshchenko S.V. , Lishchuk I.V., Opylat V.J./ Applied Physics and Engineering (YSF), 2016 II International Young Scientists Forum, 2016 © IEEE. doi: 10.1109/YSF.2016.7753806. – 24 November 2016, p. 81-84. Д. Б. Грязнов, С. А. Корінь, В. Я. Опилат, О. В. Третяк. Адаптація методу штучних нейронних мереж до аналізу сигналів релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів// Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 2012, T. 3 (9), № 4, с. 81-88. O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara,V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk. Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 1. P. 30-35. О.В. Третяк, В.Я. Опилат, Ю.В. Бойко, Д.Б. Грязнов, І.О. Деркач, В.Ю. Поварчук. До питання про визначення поперечного перерізу захоплення носіїв заряду методом DLTS // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. №1, 2010, с. 42-50.
Проекти
Конференції