Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием

Мова статті: 
Російська
Автор(и) статті: 
А. Ю. Карлаш, Г. В. Кузнецов, С. В. Литвиненко, Ю. С Милованов, В. А. Скрышевский.
Вихідні данні статті: 
ФТП.– 2010. – Т.44, Вып.10. – С.1387-1393
Назва журналу: 
Физика и техника полупроводников
Рік публікації: 
2010
Volume: 
44
Issue: 
10
Ключові слова: 
-
Ключове слово: 
-

Исследованы импедансные и оптические свойства прессованных композитов на основе порошков микрокристаллического и нанопористого кремния. Кристаллиты пористого кремния получены методом химического травления исходного микрокристаллического кремниевого порошка. Кислородная пассивация поверхности в процессе формирования пористого порошка обеспечивает стабильность характеристик композита. Анализ экспериментальных зависимостей импеданса в частотном диапазоне 1−106 Гц позволяет разделить вклады в общую проводимость композита объема зерен и межкристаллитных границ. По результатам исследования временных зависимостей импеданса определены скорости изменения электрофизических параметров композитных структур в условиях динамического адсорбционно-десорбционного воздействия внешних реагентов (H2O и C2H5OH) Abstract The impedance and optical properties of pressed composites based on microcrystalline and nanoporous Si were investigated. Crystallites of porous silicon are obtained by a method of stain etching of an initial microcrystalline silicon powder. The oxygen passivation of a surface during formation of porous powder provides stability of the composite characteristics. The analysis of experimental dependences of impedance in the frequency range of 1−106 Hz allows select the contributions to general composites conductivity of a volume grains and interface crystallites. The speeds of change of physical paramerters of composite structures are determined from the dynamic timedependent impedance at adsorption–desorption effect of extermal (H2O or C2H5OH) reactants.

Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov