Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon

Мова статті: 
Англійська
Автор(и) статті: 
Litovchenko V.G., Naseka V.M., Evtukh A.A.
Вихідні данні статті: 
Ukr. J. Phys. 2012, Vol. 57, N 1, p.73-79
Назва журналу: 
Ukrainian Journal of Physics
Рік публікації: 
2012
Volume: 
57
Issue: 
1
Ключові слова: 
-
Ключове слово: 
-
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov