Thermal rectifier based on p-n junction

Мова статті: 
Англійська
Автор(и) статті: 
V.Kislitsyn, V.Lozovski, S.Pavliuk, R.Soltys, G.Strilchuk
Вихідні данні статті: 
IEEE Transactions on Electron Devices, vol.61, N2, pp.548-551 (2014)
Назва журналу: 
IEEE Transactions on Electron Devices
Рік публікації: 
2014
Volume: 
61
Issue: 
2
Ключові слова: 
rectifier, p-n junction
Ключове слово: 
p-n junction
Ключове слово: 
rectifier
Impact Factor: 
2.358
Назва підрозділу: 
Кафедра математики, теоретичної фізики і комп-рних технологій
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov