Peculiarities of Current Transport in Titanium Oxide-Silicon Heterostructures

Мова статті: 
Англійська
Автор(и) статті: 
Yu.S. Milovanov, I.V. Gavrilchenko, V.Ya. Gayvoronsy, G.V. Kuznetsov, V.A. Skryshevsky
Вихідні данні статті: 
Ukr. J. Phys. 2012, Vol. 57, N 5, p.545-551
Назва журналу: 
Ukrainian Journal of Physics
Рік публікації: 
2012
Volume: 
57
Issue: 
5
Ключові слова: 
Titanium Oxide-Silicon, heterostructures,
Ключове слово: 
heterostructures

The mechanisms of charge carrier injection into Ti-TiO2-(n,p)-Si heterostructures have been studied. The influence of the porous TiO2 structure and the silicon substrate type on the electrical characteristics of heterostructures is analyzed. The charge transfer is shown to be accompanied by the appearance of a compensating polarization charge on the surface of TiO2 nanoparticles. Correlations between the type of adsorbed molecules and the conditions of the current flow have been determined. In Ti-TiO2-p-Si heterostructures, a change of the ratio between the numbers of injected electrons and holes can lead to the negative-conductivity effect.

Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov