Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид тітану - кремній

Мова статті: 
Українська
Автор(и) статті: 
Ю.С. Мілованов, І.В. Гаврильченко, В.Я. Гайворонський, Г.В. Кузнецов, В.А. Скришевский
Вихідні данні статті: 
Укр. фіз. жури. 2012. Т. 57, №5, с. 546-551
Назва журналу: 
Український фізичний журнал
Рік публікації: 
2012
Volume: 
57
Issue: 
5
Ключові слова: 
Гетероструктура, наночастинка
Ключове слово: 
гетероструктура
Ключове слово: 
наночастинка
Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетеро структурах Ti—TiO2(n-р)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TiO2 і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні ТіО2 наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул і умовами проходження струму. У структурах Ті—ТіО2-рSi зміна співвідношення інжектованих електронів та дірок може приводити до ефекту негативної провідності.
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov