Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках <i>p</i>-типа

Мова статті: 
Російська
Автор(и) статті: 
Домашевская Э. П., Терехов В. А., Турищев С. Ю., Ховив Д. А., Паринова Е. В., Скрышевский В. А., Гаврильченко И. В.
Вихідні данні статті: 
Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - М., 2011. - Т. 77, № 1. - С. 42-48
Назва журналу: 
Заводская лаборатория. Диагностика материалов
Рік публікації: 
2011
Volume: 
77
Issue: 
1
Ключові слова: 
пористый кремний, электронное строение, фазовый состав, рентгеновская спектроскопия, porous silicon, electronic structure, phase composition, x-ray spectroscopy
Ключове слово: 
пористый кремний
Ключове слово: 
электронное строение
Ключове слово: 
фазовый состав
Ключове слово: 
рентгеновская спектроскопия
Ключове слово: 
porous silicon
Ключове слово: 
electronic structure
Ключове слово: 
phase composition
Ключове слово: 
x-ray spectroscopy

Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения исследовано атомное и электронное строение поверхностных слоев пористого кремния.

Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov