Monochromatic electron-emission from planar AlN/GaN multilayers with carbon nanotube gate electrode

Мова статті: 
Англійська
Автор(и) статті: 
O. Yilmazoglu, L. Considine, R. Joshi, H. Mimura, D. Pavlidis, H.L. Hartnagel, J.J. Schneider, A. Evtukh, M. Semenenko, V. Litovchenko
Вихідні данні статті: 
J. Vac. Sci. Technol. B 30, 042203 (2012)
Назва журналу: 
Journal of Vacuum Science & Technology B
Рік публікації: 
2012
Volume: 
30
Issue: 
1
Ключові слова: 
-
Ключове слово: 
-
Polarized multilayer AlN/GaN heterostructures were grown, processed and characterized for resonant electron emission. Diodes of this type have extremely high resonant tunneling voltages of >5 V, which is important for a vacuum independent (up to atmosphere) electron emission over the surface vacuum barrier at ultralow bias voltages. The surface gate electrode consists of laterally oriented conductive carbon nanotubes with large effective open areas. Monochromatic electron emission can find applications in technology such as high-resolution electron microscopy, electron beam lithography, and a number of high-performance vacuum microelectronic devices.
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov