Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium

Мова статті: 
Англійська
Автор(и) статті: 
Alekseev S.A., Kuznetsov G.V., Manilov A.I., Skryshevsky V.А.
Вихідні данні статті: 
Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics-2011, 14 (1)
Назва журналу: 
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
Рік публікації: 
2011
Issue: 
14 (1)
Ключові слова: 
-
Ключове слово: 
-
Назва підрозділу: 
ІВТ
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov