Electrical properties of MIS structures with Si NCs

Мова статті: 
Автор(и) статті: 
Bunak S.V., Ilchenko V.V., Marin V.V., Melnik V.P., Khacevich I.M., Shkavro A.G., Tretyak O.V.
Вихідні данні статті: 
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011. V. 14, N 2, p. 241-246.
Назва журналу: 
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
Рік публікації: 
Ключові слова: 
nanocluster; static conductance; dynamic conductance; hopping transport
Ключове слово: 
Ключове слово: 
static conductance
Ключове слово: 
dynamic conductance
Ключове слово: 
hopping transport

The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the Al-SiO;-ISi - ncs)-SiO:-Si structures grown using high temperature annealing SiO,. x<2, have been carried out. It has been experimentally found that the Al-SiO;- (Si-ncs)-SiO;-Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of dynamic memory. Electric properties and parameters of the interface states located between Si-ncs and SiO; were studied in detail by measuring of current-voltage, capacitance-voltage, and thermally stimulated current characteristics.

Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov