Capacitance-voltage dependences modeling for SiO2/Si-NCs/SiO2/Si structures

Мова статті: 
Англійська
Автор(и) статті: 
Buyanin A., Ilchenko V., Tretyak O.
Вихідні данні статті: 
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - 2010, 14, с.7-10.
Назва журналу: 
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка
Рік публікації: 
2010
Volume: 
14
Ключові слова: 
silicon nanoclusters, negative differential capacitance, capacitance-voltage characteristic.
Ключове слово: 
silicon nanoclusters
Ключове слово: 
negative differential capacitance
Ключове слово: 
capacitance-voltage characteristic

Modeling of capacitance-voltage characteristics for metal-dielectric-semiconductor contact with siicon nanoclusters layers inbuilded in isolator has been carried out. Physical model of structure, which can explain the negative differential capacitance appearance have been created. Influence of the quantum states formed on the interfases of silicon clusters has been investigated. 

 

 

 

Назва підрозділу: 
ІВТ
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov