Публікації викладачів ІВТ : Кафедра нанофізики конденсованих середовищ : Всі журнали : Всі роки

Рікіконка для сортування Назва статті | Журнал | Автори
2005 Універсальні вимірювально-керуючі комплекси
Вестник НТУ «ХПИ», 2005, №35, с.85-93.
Жарких Ю.С., Лисоченко С.В., Третяк О.В., Шкавро А.Г., Бунак С.В., Плахотнік А.В., Погорілий В.М.
2005 Modelling of deep level influence on voltage-capacitance characteristic of metal-semiconductor contact.
Вісн. Київ. ун-ту. Радіофізика та електроніка. – 2005, Вип. 8, с. 15-17.
Ilchenko V.V., Kondratovich O.Y., Tretyak O.V., Shkil M.V.
2005 Застосування безконтактного методу вимірювання провідності в напівпровідникових сенсорних системах
Вісник Київського національного університету. Радіофізика та електроніка, 2005, Вип. 8, с. 11-13
А.І. Бенілов., А.І. Циганова, С.В. Литвинеико, В.А. Скришевський.
2005 Аналіз C-V методу дослідження фізичних параметрів бар’єра Шоткі
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки, в. № 3, 2005, с.451-460
Шкавро А.Г.
2005 Сенсори води на основі МДН-структур з проміжним шаром поруватого кремнію та органічного напівпровідника
Вісник Київського університету, сер. Радіофізика та електроніка, 2005, № 8. c. 41-44
В.А. Скришевський, І.В. Гаврильченко, С.А. Дяченко, Г.В. Кузнецов, Ю.О. Первак
2004 Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур с барьером Шоттки
Физика и техника полупроводников, 2004, т.38, вып. 6, р.690-692
Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанева Е.В., Шкавро А.Г.
2004 Physical Mechanism of Laser Correction and Stabilization of the Parameters of Al-n-n+-Si-Al Schottky Barrier Structures
Semiconductors, Vol. 38, №. 6, 2004, pp.663-665
Vorobets G.I., Vorobets M.M., Strebezhev V.N., Buzaneva E.V., Shkavro A.G.
2004 C–V and AS study of self-assembled Ge islands in Si p-n junction.
Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2004, No.2, p.15-19.
Shkil M.V., Ilchenko V.V., Tretyak O.V., Chen P.S., Pei Z.W., Tsai M.J.
2004 Вплив одновісного стискання на електропровідність поруватого кремнію
Вісник київського університету, серія фізика та математика, 3, 2004,с. 317-323
І. В.Гаврильченко, В.О. Топчий, В. А. Скришевський
2003 Aging and degradation of aluminum-silicon strac-tures with a Schottky barrier after a pulsed laser irradiation
Functional Materials 10, 3, 2003, с.468-473.
Vorobets G.I., Vorobets O.I., Fedorenko A.P., Shkavro A.G.
2002 Термоелектричні властивості напівпровідникових систем на основі телуриду свинцю
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки, в. № 3, 2002, с.277-279
Беца В.В., Шкавро А.Г.
2002 Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 4. P. 395-397.
A.V. Brodovoi, V.A. Brodovoi, V.A. Skryshevskyi, S.G. Bunchuk, L.M. Khnorozok
2001 Вплив електронних процесів при адсорбції на термоелектричні властивості монокристалів Tl4TiS4
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки, в. № 1, 2001, с.317-320
Беца В.В., Попик Ю.В., Шкавро А.Г.
2001 Platinum electroless deposition on silicon from hydrogen fluoride solutions: electrical properties
J. Electrochem.Soc.- 2001.- V.148.- Р.C528-C532.
Kuznetsov G.V., Skryshevsky V.A., Vdovenkova T.A., Tsyganova A.I., Gorostiza P., Sanz F.
2001 Carrier transport in amorphous SiC/crystalline silicon heterojunctions
J.Appl.Phys.- 2001.- V.89, N8.- P. 4422-4428.
Nazarov A.N., Vovk Ya.N., Lysenko V.S., Turchanikov V.I., Skryshevskii V.A., Ashok S.
2001 Autoelectronic emission of porous silicon
Appl.Surf.Sci.- 2001.- V.172.- P.144-147.
Brodovoy V.A., Bibik V.F., Skryshevsky V.A.
2001 Thermally Stimulated Luminescence in Porous Silicon
J.Appl.Phys.- 2001.- V.89, N5.- P. 2711-2714.
Skryshevskii Yu.A., Skryshevskii V.A.
2001 Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots
J APPL PHYS, 89(2), 2001, pp. 1172-1174
Ilchenko V.V., Lin S.D., Lee C.P., Tretyak O.V.
2001 Застосування лазерного сканування для дослідження параметрів р-n переходів
Вісник Київського національного університету. Радіофізика та електроніка 2001, Вип.3, с. 55-59
Литвиненко С.В., Ільчечко Л.М., Кильчицька С.С., Коленов С.О., Скришевський В.А., Смирнов Є.М.
2001 Вплив рекомбінаційних і оптичних параметрів на характеристики сонячних елементів з пористим кремнієм
Вісник Київського національного університету. Радіофізика та електроніка 2001, Вип.3, с.72-77
Скришевський В.А., Кильчицька С.С, Кильчицька Т.С., Литвиненко С.В., Ничипорук О.І.
2000 Investigation of the solar cell emitter quality by LBIC-like image techniques
Mat.Sci.Eng. B, 71, pp.238-243, 2000.
S. Litvinenko, L. Ilchenko, A. Kaminski, S. Kolenov, A. Laugier, E. Smirnov, V. Strikha, V.Skryshevsky
2000 Вплив низькотемпературного відпалу на ВАХ меза-структур Pt-GaAs з бар’єром Шотткі
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка, 2000, 1, с.30-33.
Гулюк Н.О., Шкавро А.Г.
2000 Вплив δ-шарів на темнові вольт-амперні характеристики кремнієвих p-n переходів при проходженні струму через локальні рівні
УФЖ.- 2000.- T.45, N12.- C.1458-1461.
Cтріха В.І., Скришевський В.А., Козинець О.В., Петренко В.В.
2000 Electrical features of the metal-thin porous silicon-silicon structure
J.Phys.D: Appl.Phys.-2000.- V.33.- P.1957-1964.
Vikulov V.A., Strikha V.I., Skryshevsky V.A., Kilchitskaya S.S., Souteyrand E., Martin J.-R.
2000 Photoluminescence of inhomogeneous porous silicon at gas adsorption
Appl.Surf.Sci.- 2000.- V.157.- P.145-150.
Skryshevsky V.A.
2000 A study of moisture effects on Ti/porous silicon Schottky barrier
J.Porous Mat.- 2000.- V.7.- P.111-114.
Strikha V., Skryshevsky V., Polishchuk V., Souteyrand E., Martin J.-R
1999 Application of dynamical optical reflection thermography for detecting of dark current inhomogeneity in semiconductor devices
Appl. Surf. Sci., 137, 1-4, 1999, p.45-49
S.V. Litvinenko, S.S. Kilchitskaya, V.A. Skryshevsky, V.I.Strikha, A. Laugier
1999 Series of laser scanning techniques as non-destructive tool for testing solar cells and batteries
Proc. SPIE Vol. 3707, p. 556-564, Laser Radar Technology and Applications IV, Gary W. Kamerman; Christian Werner; Eds.
Litvinenko S.V., Ilchenko L.M., Kolenov S.O.,Smirnov E.M., V.A.Skryshevsky
1999 Features of metal-insulator-semiconductor diodes with tunnel insulator subjected to UV soaking
Thin Solid Films, Volume 346, Issues 1–2, 1 June 1999, Pages 226-229
S.S. Kilchitskaya, T.S. Kilchitskaya, G.D. Popova, V.A. Skryshevsky
1999 Вплив δ - шарів на темнові ВАХ кремнієвих p-n переходів
УФЖ.- 1999.- Т.44, № 8.- C.1003- 1006.
Козинець О.В., Кузницький З.Т., Скришевський В.А., Стріха В.І.
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov