Публікації викладачів ІВТ : Кафедра нанофізики конденсованих середовищ : Всі журнали : Всі роки

Рікіконка для сортування Назва статті | Журнал | Автори
2010 Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием
ФТП.– 2010. – Т.44, Вып.10. – С.1387-1393
А. Ю. Карлаш, Г. В. Кузнецов, С. В. Литвиненко, Ю. С Милованов, В. А. Скрышевский.
2010 Особенности атомного и электронного строения оксидов на поверхности пористого кремния по данным Xanes
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2010. - № 5. – С.28-33.
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. А. Ховив, В. А. Скрышевский, И. В. Гаврильченко
2010 Особенности атомного и электронного строения поверхностных слоев пористого кремния
Журнал общей химии. - СПб., 2010. - Т. 80, № 6. - С. 958-965
Домашевская Э. П., Терехов В. А., Турищев С. Ю., Ховив Д. А., Паринова Е. В., Скрышевский В. А., Гаврильченко И. В.
2010 Features of Atomic and Electronic Structure of Oxides on Porous Silicon Surface According to XANES Data
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, 4 (3), P.384-390
E. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. A. Khoviv, V. A. Skryshevskii, I. V. Gavril’chenko
2010 Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 1, p. 12-18.
Bunak S.V., Buyanin A.A., Ilchenko V.V. , Marin V.V., Melnik V.P. , Khacevich I.M. , Tretyak O.V., Shkavro A.G.
2010 Capacitance-voltage dependences modeling for SiO2/Si-NCs/SiO2/Si structures
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - 2010, 14, с.7-10.
Buyanin A., Ilchenko V., Tretyak O.
2010 Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
Технология и конструирование в электронной аппаратуре №5-6, 2010
Плис Н. И., Вербицкий В. Г., Жора В. Д., Волнистов В. Н., Грунянская В. П., Сергеева Н. Н.
2010 Пороговое напряжение МОП-транзисторов с наноразмерными толщинами подзатворного диэлектрика
«Электроника и связь» Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии» №4, 2010г.
Вербицький В.Г., Самотовка Л.И., Самотовка В.Л.
2010 An express method for the study of planar homogeneity of diffusion length in multicrystalline solar silicon
Solid State Phenomena V. 156-158 (2010) pp. 449-453.
Litovchenko V.G., Sarikov A.V., Evtukh A.A.
2010 Peculiarities of the photon-assisted field emissions from GaN nanorods
J. Vac. Sci. Technol. B V. 28, N 2, C2A72 – C2A76 (2010)
A. Evtukh, O. Yilmazoglu, V. Litovchenko, M. Semenenko, O. Kyriienko, H.L. Hartnagel, D. Pavlidis.
2010 Electron field emission from the Si nanostructures formed by laser irradiation
J. Vac. Sci. Technol. B 28 (2), (2010) C2B11-C2B13
A. Evtukh, A. Medvid, P. Onufrijevs, M. Okada, H. Mimura.
2010 A novel method to form conducting channels in SiOx (Si) films for field emission application
J. Appl. Phys. 107, 013702 (2010)
M. Semenenko, A. Evtukh, O. Yilmazoglu, H. L. Hartnagel, D. Pavlidis
2010 Спін-залежний струм в структурах на основі КНС
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2010. – T. 1 (7) 3. – С.27-32.
Кривохижа К.В., Третяк О.В., Шкавро А.Г.
2010 До питання про визначення поперечного перерізу захоплення носіїв заряду методом DLTS
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2010, Т1(7), №1, с. 43-51
Бойко Ю.В., Грязнов Д.Б., Деркач I.O., Третяк О.В., Опилат В.Я., Поварчук В.Ю.
2010 Лабораторний практикум як актуальна проблема дистанційного навчання
Збірник наукових праць Кам’янець-Подільського національного університету імені Івана Огієнка. Серія педагогічна: Формування професійних компетентностей майбутніх учителів фізико-технологічного профілю в умовах євро інтеграції. -2010. -Вип. 16. - с. 150-152.
Жарких Ю.С., Лисоченко С.В., Сусь Б.Б., Третяк О.В., Шкавро А.Г.
2010 Метод визначення рекомбінаційних параметрів в технологічних пластинах Si
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки. 2010, вип. 3, с. 229-232.
Лисоченко C.В., Чирчик С.В.
2010 Особенности фотопроводимости полимерных пленочных композитов, содерлащих разнометаллический Fe(II)/Zn(II) комплекс
Химия высоких энергий - том 44, № 5, Сентябрь-Октябрь 2010, С. 455-457
Н. А. Давиденко, С. В. Дехтяренко, В. Н. Кокозей, А. В. Козинец, В. Г. Маханькова, В. А. Скрышевский, С. Л. Студзинский, О. В. Третяк, Э. Н. Чигорин
2010 ВИКОРИСТАННЯ У ВОДНЕВIЙ ЕНЕРГЕТИЦI ПОРОШКIВ I КОМПОЗИТIВ НА ОСНОВI ПОРУВАТОГО ТА КРИСТАЛIЧНОГО КРЕМНIЮ
Укр. фiз. журн. 2010. Т. 55, №8 с. 929-936
А.I. МАНIЛОВ, С.В. ЛИТВИНЕНКО, С.О. АЛЄКСЄЄВ, Г.В. КУЗНЄЦОВ, В.А. СКРИШЕВСЬКИЙ
2010 Спін-залежний струм в структурах на основі КНС
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. -2010-T. 1 (7), №3-с.27-32.
Кривохижа К.В., Третяк О.В., Шкавро А.Г.
2010 New possibilities for obtaining steeply nonlinear current – voltage characteristics in some semiconductor structures
International journal of modern physics B.- 2010.- v.24, №19-р.3723-3734.
Tretyak O.V., Korol A.M., Sheka D.I., Sen AA.K., Mookerjee A.
2010 Magnetic Symmetry of the Plain Domain Walls in the Plates of Cubic Ferro- and Ferrimagnets.
Acta Physica Polonica, 2010 ,Vol.117,№1-р. 215-217
Tanygin B.M., Tychko O.V.
2009 Thin silicon solar cells with SiОх/SiNx Bragg mirror rear surface reflector
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -2009. -12, №4. –P. 406-411
Ivanov I. I., Nychyporuk T. V., Skryshevsky V. A., Lemiti M.
2009 Merocyanine Dye-Sentized Photoconductivity of Polymer Composites Based on Heterometallic Copper/Iron Complexes
High Energy Chemistry, 43(2009) 133-137
O. V. Vreshch, N. A. Davidenko, S. V. Dekhtyarenko, A. A. Ishchenko, V. N. Kokozei, A. V. Kozinets, V. A. Skryshevsky, O. V. Tretyak
2009 Photoconductivity of the films of organic polymer doped with nanoparticles of porous silicon with ionic polymethine dyes
Semiconductors. 43 (2009) 667-670.
Davidenko N. A., Skryshevsky V. A., Isshchenko A. A., Kаrlash A. Yu., Mokrinskaya E. V.
2009 Peculiarities of conductivity and photoconductivity of polimer composites containing heteropolynuclear complexes M(II)/Cr(III)
Semiconductors. 43 (2009) 485-489.
N. A. Davidenko, S. V. Dekhtyarenko, V. N. Kokozei, A. V. Kozinets, V. V. Semenaka, V. A. Skryshevsky, O. V. Tretyak
2009 Thermally induced acoustic waves in porous silicon
Phys.Stat.Solidi. C6 (2009) 1725-1728
I. V. Gavrilchenko, А. І. Benilov, Y. G. Shulimov, V. А. Skryshevsky
2009 Straining of crystalline silicon thin films by stress generating bulk porous silicon substrates
Phys. Stat.S olidi. A206 (2009) 1255-1258
V. Lysenko, D. Ostapenko, J. M. Bluet, P. Regregny, M. Mermoux, A. Boucherif, O. Marty, G. Grenet, V. Skryshevsky, G. Guillot
2009 Extraction of UV emitting silicon species from strongly hydrogenated nanoporous silicon
Appl.Phys.Lett, 92(2008) 251910
V. V. Onyskevych, V. Lysenko, Y. Chevolot, D. Barbier, V. Skryshevsky
2009 CБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре №2, 2009
Вербицький В. Г., Сидоренко В. П. Прокофьев Ю. В. Кизяк А. Ю. Николаенко Ю. Е.
2009 Современные кремниевые технологии для создания свервысокочастотных интегральных микросхем диапазона 1,0-100ГГц
Техника и приборы СВЧ, 2009, №2, с.20-25
Вербицький В. Г., Сидоренко В.П. Попов В.П. Евтух А.А.
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov