Публікації викладачів ІВТ : Кафедра нанофізики конденсованих середовищ : Всі журнали : Всі роки

Рікіконка для сортування Назва статті | Журнал | Автори
1999 Application of dynamical optical reflection thermography for detecting of dark current inhomogeneity in semiconductor devices
Appl. Surf. Sci., 137, 1-4, 1999, p.45-49
S.V. Litvinenko, S.S. Kilchitskaya, V.A. Skryshevsky, V.I.Strikha, A. Laugier
1999 Series of laser scanning techniques as non-destructive tool for testing solar cells and batteries
Proc. SPIE Vol. 3707, p. 556-564, Laser Radar Technology and Applications IV, Gary W. Kamerman; Christian Werner; Eds.
Litvinenko S.V., Ilchenko L.M., Kolenov S.O.,Smirnov E.M., V.A.Skryshevsky
1999 Features of metal-insulator-semiconductor diodes with tunnel insulator subjected to UV soaking
Thin Solid Films, Volume 346, Issues 1–2, 1 June 1999, Pages 226-229
S.S. Kilchitskaya, T.S. Kilchitskaya, G.D. Popova, V.A. Skryshevsky
1999 Вплив δ - шарів на темнові ВАХ кремнієвих p-n переходів
УФЖ.- 1999.- Т.44, № 8.- C.1003- 1006.
Козинець О.В., Кузницький З.Т., Скришевський В.А., Стріха В.І.
1999 Improved thin film solar cell with Rayleigh's scattering in porous silicon pipes
Thin Solid Films.- 1999.- V.346.- P.261-265.
Skryshevsky V.A., Laugier A.
1999 Изучение структурных превращений и фазового состава тонких пленок алюминия с кремнием
Известия Академии наук СССР Неорганические митериаллы, т. 15, 2, 1979, Pages 217-219
Казимиров В.П., Баталин Г.И., Бузанева Е.В., Каганов М.Я., Трайнис Т.П., Шкавро А.Г.
2000 Investigation of the solar cell emitter quality by LBIC-like image techniques
Mat.Sci.Eng. B, 71, pp.238-243, 2000.
S. Litvinenko, L. Ilchenko, A. Kaminski, S. Kolenov, A. Laugier, E. Smirnov, V. Strikha, V.Skryshevsky
2000 Вплив низькотемпературного відпалу на ВАХ меза-структур Pt-GaAs з бар’єром Шотткі
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка, 2000, 1, с.30-33.
Гулюк Н.О., Шкавро А.Г.
2000 Вплив δ-шарів на темнові вольт-амперні характеристики кремнієвих p-n переходів при проходженні струму через локальні рівні
УФЖ.- 2000.- T.45, N12.- C.1458-1461.
Cтріха В.І., Скришевський В.А., Козинець О.В., Петренко В.В.
2000 Electrical features of the metal-thin porous silicon-silicon structure
J.Phys.D: Appl.Phys.-2000.- V.33.- P.1957-1964.
Vikulov V.A., Strikha V.I., Skryshevsky V.A., Kilchitskaya S.S., Souteyrand E., Martin J.-R.
2000 Photoluminescence of inhomogeneous porous silicon at gas adsorption
Appl.Surf.Sci.- 2000.- V.157.- P.145-150.
Skryshevsky V.A.
2000 A study of moisture effects on Ti/porous silicon Schottky barrier
J.Porous Mat.- 2000.- V.7.- P.111-114.
Strikha V., Skryshevsky V., Polishchuk V., Souteyrand E., Martin J.-R
2001 Вплив електронних процесів при адсорбції на термоелектричні властивості монокристалів Tl4TiS4
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки, в. № 1, 2001, с.317-320
Беца В.В., Попик Ю.В., Шкавро А.Г.
2001 Platinum electroless deposition on silicon from hydrogen fluoride solutions: electrical properties
J. Electrochem.Soc.- 2001.- V.148.- Р.C528-C532.
Kuznetsov G.V., Skryshevsky V.A., Vdovenkova T.A., Tsyganova A.I., Gorostiza P., Sanz F.
2001 Carrier transport in amorphous SiC/crystalline silicon heterojunctions
J.Appl.Phys.- 2001.- V.89, N8.- P. 4422-4428.
Nazarov A.N., Vovk Ya.N., Lysenko V.S., Turchanikov V.I., Skryshevskii V.A., Ashok S.
2001 Autoelectronic emission of porous silicon
Appl.Surf.Sci.- 2001.- V.172.- P.144-147.
Brodovoy V.A., Bibik V.F., Skryshevsky V.A.
2001 Thermally Stimulated Luminescence in Porous Silicon
J.Appl.Phys.- 2001.- V.89, N5.- P. 2711-2714.
Skryshevskii Yu.A., Skryshevskii V.A.
2001 Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots
J APPL PHYS, 89(2), 2001, pp. 1172-1174
Ilchenko V.V., Lin S.D., Lee C.P., Tretyak O.V.
2001 Застосування лазерного сканування для дослідження параметрів р-n переходів
Вісник Київського національного університету. Радіофізика та електроніка 2001, Вип.3, с. 55-59
Литвиненко С.В., Ільчечко Л.М., Кильчицька С.С., Коленов С.О., Скришевський В.А., Смирнов Є.М.
2001 Вплив рекомбінаційних і оптичних параметрів на характеристики сонячних елементів з пористим кремнієм
Вісник Київського національного університету. Радіофізика та електроніка 2001, Вип.3, с.72-77
Скришевський В.А., Кильчицька С.С, Кильчицька Т.С., Литвиненко С.В., Ничипорук О.І.
2002 Термоелектричні властивості напівпровідникових систем на основі телуриду свинцю
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки, в. № 3, 2002, с.277-279
Беца В.В., Шкавро А.Г.
2002 Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 4. P. 395-397.
A.V. Brodovoi, V.A. Brodovoi, V.A. Skryshevskyi, S.G. Bunchuk, L.M. Khnorozok
2003 Aging and degradation of aluminum-silicon strac-tures with a Schottky barrier after a pulsed laser irradiation
Functional Materials 10, 3, 2003, с.468-473.
Vorobets G.I., Vorobets O.I., Fedorenko A.P., Shkavro A.G.
2004 Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур с барьером Шоттки
Физика и техника полупроводников, 2004, т.38, вып. 6, р.690-692
Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанева Е.В., Шкавро А.Г.
2004 Physical Mechanism of Laser Correction and Stabilization of the Parameters of Al-n-n+-Si-Al Schottky Barrier Structures
Semiconductors, Vol. 38, №. 6, 2004, pp.663-665
Vorobets G.I., Vorobets M.M., Strebezhev V.N., Buzaneva E.V., Shkavro A.G.
2004 C–V and AS study of self-assembled Ge islands in Si p-n junction.
Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2004, No.2, p.15-19.
Shkil M.V., Ilchenko V.V., Tretyak O.V., Chen P.S., Pei Z.W., Tsai M.J.
2004 Вплив одновісного стискання на електропровідність поруватого кремнію
Вісник київського університету, серія фізика та математика, 3, 2004,с. 317-323
І. В.Гаврильченко, В.О. Топчий, В. А. Скришевський
2005 MIS-stimulated back-surface passivation of the interdigitated back-contact solar cells
Solar Energy Materials and Solar Cells, 87 (2005), p.549–555.
O. Nichiporuk, A. Kaminski, V. Skryshevsky, S. Litvinenko
2005 Шумова спектроскопія глибоких рівнів сульфіду кадмію
Вісник Київського університету. Серія: Фізико-математичні науки, № 2, 2005, с.373-378
Товпеко О.В., Шкавро А.Г.
2005 Структурні зміни плівок Al, SiO2, Si внаслідок старіння після імпульсного фотонного опромінення та їх вплив на характеристики контактів Al-n-Si з бар’єром Шотткі
Фізика і хімия твердого тіла т. 6, № 1 (2005) с. 165-169
Воробець Г.І., Воробець М.М., Мельничук Т.А., Шкавро А.Г.
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov