Особенности атомного и электронного строения оксидов на поверхности пористого кремния по данным Xanes

Мова статті: 
Російська
Автор(и) статті: 
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. А. Ховив, В. А. Скрышевский, И. В. Гаврильченко
Вихідні данні статті: 
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2010. - № 5. – С.28-33.
Назва журналу: 
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Рік публікації: 
2010
Volume: 
5
Ключові слова: 
-
Ключове слово: 
-

На основании синхротронных исследований основных параметров тонкой структуры краев рентгеновского поглощения SiL2/3 (XANES) в пористом кремнии на пластинах Si (100), легированных бором, произведены оценки толщины поверхностного оксидного слоя и степени искажения кремний-кислородного тетраэдра в нем. Толщина оксидного слоя, образующегося на аморфном слое, который покрывает нанокристаллы пористого кремния, в несколько раз превосходит толщину естественного оксида на поверхности пластин монокристаллического кремния марок КЭФ и КДБ ориентации (100). Искажения кремний-кислородного тетраэдра – основной структурной единицы оксида кремния сопровождается растяжением связей Si–O и увеличением углов между связями Si–O–Si.

Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov