Дослідження електричних властивостей напівпровідникових ноногетероструктур SiO2/Si-nс-/SiO2/Si з метою створення пристроїв нанопам’яті

Тема дипломної роботи, що пропонується: 
Дослідження електричних властивостей напівпровідникових ноногетероструктур SiO2/Si-nс-/SiO2/Si з метою створення пристроїв нанопам’яті
Науковий керівник(и): 
Ільченко Володимир Васильович
Кафедра/НДЧ: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
Статус теми: 
Активна

В останні роки дослідження властивостей кремнієвих нанокластерів (Si-nc), що утворюються в SiO2 за допомогою різних технологічних прийомів, викликають підвищену увагу науковців у зв’язку з новими перспективами створення приладів наноелекроніки на їх основі. На структурах SiO2/Si-nc’s/SiO2/Si, що були сформовані методами йонної імплантації Si в діелектрик з наступним їх відпалом, були успішно отримані ефекти запам’ятовування інформації. В майбутньому такі структури планується використовувати для створення широкого набору пристроїв, отриманих в рамках кремній-сумісної технології. Цілком природно, що в останні декілька років велика увага приділяється дослідженням впливу на властивості цих структур кремнієвих наноутворень та їх електронних станів, що виникають в нанокластерах, затиснутих в широкозонному діелектрику (SiO2), що оточує їх з усіх боків. Оскільки розміри кластерів дуже маленькі, такі запам’ятовуючі пристрої можуть мати дуже велику ємність (1014 bit/cm2).

ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov