Дослідження властивостей GaAs польових транзисторів (field-electric transistors) з шарами InAs квантових точок в підзатворній області з метою створення нових функціональних електронних приладів

Тема дипломної роботи, що пропонується: 
Дослідження властивостей GaAs польових транзисторів (field-electric transistors) з шарами InAs квантових точок в підзатворній області з метою створення нових функціональних електронних приладів
Науковий керівник(и): 
Ільченко Володимир Васильович
Кафедра/НДЧ: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
Статус теми: 
Активна

Відомо, що присутність енергетичних рівнів квантових точок в підзатворній області польових транзисторів може суттєво впливати на розподіл потенціалу в області просторового заряду вглибину від поверхні транзисторної структури, суттєво відбиватися на величині її диференціальної ємності та призводити до накопичення на енергетичних рівнях квантових точок значного електричного заряду. Оскільки ємність таких структур є частотно-залежною, а шари квантових точок можуть утворювати масиви, провідністю каналів даних транзисторів можна досить ефективно управляти як в статичному так і в динамічному режимах. Головна відмінність таких структур від традиційних структур з плаваючим затвором полягає в тому, що глибину залягання енергетичних рівнів квантових точок та їх концентрацію можна змінювати змінюючи розміри квантових точок. Крім того в таких структурах з’являється нова можливість керувати величиною ємності структури в залежності від частоти та прикладеної до затвору транзистору постійної напруги. Дані дослідження викликають особливу увагу через можливість застосування структур з шарами квантових точок в під затворній області для структур з високою електронною рухливістю (так званих HEMT структур – AlGaAs/GaAs), які на сьогоднішній день широко застосовуються в електроніці.

ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov