Публікації викладачів ІВТ : R&D Division : Всі журнали : Всі роки

Рікsort icon Назва статті | Журнал | Автори
2013 Porous silicon Bragg mirrors on single- and multi-crystalline silicon for solar cells
Renewable Energy, 55, 7, 2013, pp. 79-84
Ivanov I.I., Skryshevsky V.A., Nychyporuk T., Lemiti M., Makarov A.V., Klyui N.I., Tretyak O.V.,
2013 Splitting of Plasmon Frequency in Spherical Metal Nanoparticles in Anisotropic Medium
Plasmonics, Volume 8, Issue 4, pp 1699-1706 (2013) [8 pages]
Margarita A. Razumova, Igor M. Dmitruk
2012 Peculiarities of Current Transport in Titanium Oxide-Silicon Heterostructures
Ukr. J. Phys. 2012, Vol. 57, N 5, p.545-551
Yu.S. Milovanov, I.V. Gavrilchenko, V.Ya. Gayvoronsy, G.V. Kuznetsov, V.A. Skryshevsky
2012 Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид тітану - кремній
Укр. фіз. жури. 2012. Т. 57, №5, с. 546-551
Ю.С. Мілованов, І.В. Гаврильченко, В.Я. Гайворонський, Г.В. Кузнецов, В.А. Скришевский
2012 Experimental examination of films of gold nanoparticles on Si/SiO2 substrate by ellipsometry
Semicond. Phys., Quant. Electronics and Optoelectronics 15, 360-363
E.G.Bortchagovsky, V.Z.Lozovski, T.O.Mishakova, L.K.Hinger
2012 Исследование дифракции как интерференции с точки зрения корпускулярной природы света
Сборник статей“Современный физический практикум”Изд. Дом. Мос. Физ. Общ. Москва.
Сусь Б.А, Сусь Б.Б., Кравченко О.Б
2012 Властивості спектрів ФМР поглинання в епітаксіальних плівках барієвого гексафериту при зміні товщини підкладинки
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка, серія: фізико-математичні науки
В. І. Костенко, О. Ю. Нечипорук , А. М. Сорочак, Т. Г. Чамор, Л. В. Чевнюк
2012 НВЧ і магнітні властивості алюмозаміщеного гексафериту барію
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка, серія: радіофізика та електроніка
В. І. Костенко, А. М. Сорочак, Т. Г. Чамор, Л. В. Чевнюк
2012 Метод молекулярного докінгу за участю SH2-доменів
Ж-л «Біотехнологія» Т. 5, № 2, 2012, с.31-40
В.В. Гурмач, О.М. Балінський, М.О. Платонов, П.О. Бориско, Ю.І. Прилуцький
2012 Пошук низькомолекулярних лігандів для SH2-доменів методом докінгу міжмолекулярних взаємодій
Доповіді Національної академії наук України. Математика, природознавство, технічні науки : Науково-теоретичний журнал. - 2012. - № 8. - С. 141-146
В.В. Гурмач, О.М. Балінський, П.О. Бориско, М.О. Платонов, Г.Х. Баєнг, Д.Б. Ковальський, Ю.І. Прилуцький
2012 Криволинейные движения по инерции и закон Кулона
Физика сознания, жизни, биокосмология и астрофизика. - 2012. - № 3. - С. 34-39
Олейник В.П.
2012 О физической сущности вращательного движения. Квантовая картина движения классических частиц
"Физика сознания и жизни, космология и астрофизика", Том 12, №1, 2012, стр.17–54
Олейник В.П.
2011 Photoconducive and photodielectric properties of heterostructures composed of poly-N-epoxypropylcarbazole and MEH-PPV films with a zinc octabutylphthalocyanine additive
Technical Physics, 56 (2), 2011, pp. 259-263
Davidenko N. A., Tonkopieva L. S., Dekhtyarenk, S. V., Kozinets A. V., Lobach A. S., Mokrinskaya E. V., Skryshevsky V. A., Tretyak O. V.
2011 Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках <i>p</i>-типа
Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - М., 2011. - Т. 77, № 1. - С. 42-48
Домашевская Э. П., Терехов В. А., Турищев С. Ю., Ховив Д. А., Паринова Е. В., Скрышевский В. А., Гаврильченко И. В.
2011 Electronic properties of FET structures with QDs layer under the Gate area
Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2011, vol.2(8), No.1, p.79-84.
Ilchenko V.V., Lin S.D., Marin V.V., Tretyak O.V.
2011 Electrical properties of MIS structures with Si NCs
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011. V. 14, N 2, p. 241-246.
Bunak S.V., Ilchenko V.V., Marin V.V., Melnik V.P., Khacevich I.M., Shkavro A.G., Tretyak O.V.
2011 Проблеми лабораторного практикуму при організації електронного навчання
Наукові записки Тернопільського національного педагогічного університету імені Володимира Гнатюка. Тернопіль: Серія: Педагогіка Вип. №1, 2011, с.72-78
Жарких Ю.С., Лисоченко С.В., Сусь Б.Б., Шкавро А.Г.
2011 Вплив одночасного застосування різних шкал оцінок на рейтинговий розподіл студентів за рівнем знань
Науковий часопис національного педагогічного університету імені М.П. Драгоманова. Серія 5. Педагогічні науки: реалії та перспективи. Вип. №27. 2011. с.75-81
Жарких Ю.С., Лисоченко С.В., Сусь Б.Б., Третяк О.В.
2011 Сенсибилизация фотопроводимости ферроценсодержащего олигомера скварилиевым и мероцианиновым красителями
Журнал прикладной спектроскопии, 2011, т.78, №1, с.145-149.
Давиденко Н.А., Ищенко А.А., Козинец А.В., Костенко Л.И., Курдюкова И.В., Мокринская Е.В., Студзинский С.Л., Чуприна Н.Г
2010 Use of powders and composites based on porous and crystalline silicon in the hydrogen power industry
Ukr. J.Phys. – 2010. – V.55, No.8. – P.928-935
А. І. Manilov, S. V. Litvinenko, S .A. Alekseev, G. V. Kuznetsov, V. A. Skryshevsky
2010 Influence of palladium particles impregnation on hydrogen behavior in meso-porous silicon
Journal of Alloys and Compounds, 492 (2010) 466–472 .
A. I. Manilov, S. A. Alekseev, V. A. Skryshevsky, S. V. Litvinenko, G. V. Kuznetsov, V. Lysenko
2010 Hydrogen production from nano-porous Si powder formed by stain etching
International Journal of Hydrogen Energy Volume 35, Issue 13, July 2010, Pages 6773-6778
S. Litvinenko, S. Alekseev, V. Lysenko, A. Venturello, F. Geobaldo, L. Gulina, G. Kuznetsov, V. Tolstoy, V. Skryshevsky, E. Garrone, D. Barbier.
2010 Особенности внутреннего фотоэффекта оксалатного Cu(II)/Fe(III) комплекса с этилендиамином в диэлектрической полимерной пленке
Физика твердого тела.– 2010. – Т.52, Вып.6. – С.1223-1226.
Н. А. Давиденко, С. В. Дегтяренко, В. Н. Кокозей, А. В. Козинец, О. В. Нестерова, В. А. Скрышевский, С. Л. Студзинский, О. В. Третяк, Э. Н.Чигорин
2010 Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием
ФТП.– 2010. – Т.44, Вып.10. – С.1387-1393
А. Ю. Карлаш, Г. В. Кузнецов, С. В. Литвиненко, Ю. С Милованов, В. А. Скрышевский.
2010 Особенности атомного и электронного строения оксидов на поверхности пористого кремния по данным Xanes
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2010. - № 5. – С.28-33.
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. А. Ховив, В. А. Скрышевский, И. В. Гаврильченко
2010 Особенности атомного и электронного строения поверхностных слоев пористого кремния
Журнал общей химии. - СПб., 2010. - Т. 80, № 6. - С. 958-965
Домашевская Э. П., Терехов В. А., Турищев С. Ю., Ховив Д. А., Паринова Е. В., Скрышевский В. А., Гаврильченко И. В.
2010 Features of Atomic and Electronic Structure of Oxides on Porous Silicon Surface According to XANES Data
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, 4 (3), P.384-390
E. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. A. Khoviv, V. A. Skryshevskii, I. V. Gavril’chenko
2010 Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 1, p. 12-18.
Bunak S.V., Buyanin A.A., Ilchenko V.V. , Marin V.V., Melnik V.P. , Khacevich I.M. , Tretyak O.V., Shkavro A.G.
2010 Capacitance-voltage dependences modeling for SiO2/Si-NCs/SiO2/Si structures
Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - 2010, 14, с.7-10.
Buyanin A., Ilchenko V., Tretyak O.
2010 Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2010. - V. 13, №1. - р. 95-97.
Tretyak O.V., Kozonushchenko O.I., Krivokhizha K.V., Revenko A.S.
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov