Євтух Анатолій Антонович

Візитка
Стан: 
Викладач
Науковий ступінь: 
д. ф.-м. н.
Посада: 
Професор
Кафедра чи НДЧ-підрозділ: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
Телефон: 
Тел.: +38 (044 ) 526-05-82

 

Закінчив електрофізичний факультет Львівського політехнічного інституту в 1977 р.

Після закінчення Львівського політехнічного інституту тривалий час працював в Науково-дослідному інституті Мікроприладів Київського виробничого об’єднання «Кристал» Міністерства електронної промисловості на інженерних посадах, посадах наукового співробітника та начальника лабораторії. В НДІ Мікроприладів займався розробкою технології виготовлення мікроелектронних напівпровідникових приладів та інтегральних схем і дослідженням фізичних процесів, що лежать в основі їх роботи. З 2002 року і по теперішній час працює в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, зараз на посаді завідувача відділом.

Закінчив аспірантуру та докторантуру Інституту фізики напівпровідників (заочно) в 1983р. та в 1995 р. відповідно.

В 1985 р. захистив кандидатську дисертацію “Исследование токопереноса и накопления заряда в полупроводниковых структурах с многослойным диэлектриком” (науковий керівник - проф. Литовченко В.Г.), а в 2004 р. - докторську дисертацію "Тунельна інжекція та емісія електронів в шаруватих напівпровідникових структурах на кремнії" по спеціальності «Фізика напівпровідників і діелектриків». В 2008 р. отримав вчене звання професор. Почесний професор університету Шізуока (Японія, 2010 р.). Лауреат державної премії України в галузі науки та техніки (2011 р.)

Викладає спеціальні курси "Напівпровідникова електроніка», «Наноматеріали та структури на їх основі» та «Фізика напівпровідникових наноелектронних приладів» ” для студентів (бакалаври, спеціалісти, магістри) Київського національного університету імені Тараса Шевченка.

Основні напрями наукових досліджень – фізика напівпровідників і діелектриків, шаруваті структури метал-діелектрик-напівпровідник та границі розділу, електрофізичні процеси, емісія та інжекція електронів, фізика поверхні, фізико-хімічні властивості наноструктурованих напівпровідників, напівпровідникові прилади мікро- та наноелектроніки: фізика, технологія, застосування; розробка напівпровідникових хімічних та радіаційних сенсорів.

Ним розроблено технології вирощування надтонких діелектричних плівок SiO2, формування шаруватих структур с подвійним діелектриком та з нанокристалами кремнію для використання в елементах енергонезалежної пам’яті (FLASH, SONOS, нанокристалічна пам’ять); досліджені особливості електронного транспорту в шаруватих структурах на основі кремнію та особливості електронної польової емісії з наноструктурованих напівпровідників, розроблені фізико-технічні основи створення сенсорів водневмістких газів на основі МДН структур з каталітично-активними композитними електродами.

Неодноразово запрошувався виступати з доповідями в університетах Німеччини та Японії.

Має тісну багаторічну співпрацю з провідними іноземними університетами, лабораторіями та компаніями: Technical University of Darmstadt (Дармштат, Німеччина), Technical University of Ilmenau (Ільменау, Німеччина), University of California (Девіс, США), Lawrence Livermore National Laboratory (Лівермор, США), TNO Industrial Technology (Нідерланди), Company “Paradox Group B.V.” (Нідерланди), Research Institute of Electronics, Shizuoka University (Хамаматсу, Японія).

Науковий керівник та відповідальний виконавець міжнародних грантів (CRDF, INTAS, УНТЦ) та проектів Національної академії наук України та Міністерства освіти і науки України.

Під його керівництвом три учні захистили кандидатські дисертації.

   Веде значну науково-організаційну роботу. Член Спеціалізованих вчених рад по захисту докторських та кандидатських дисертацій при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України та Національному технічному університеті України «Київський політехнічний інститут», член Наукової ради з проблеми “Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» при Відділенні фізики та астрономії Президії НАН України, рецензент фахових наукових журналів: J. Phys. D: Applied Physics, Int. J. Nanotechnology, Solid State Electronics, Український фізичний журнал, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, Технология и конструирование электронной апаратуры та ін. Член Українського Фізичного товариства та європейського наукового товариства European Microwave Association.

Опублікував більше ніж 250 наукових праць. Серед них 7 авторських свідоцтв та патентів на винаходи, 3 монографії.

Litovchenko V., Evtukh A. Vacuum Nanoelectronics. In Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, V.3. Spintronics and Nanoelectronics. Edited by A.A. Balandin and K.L. Wang, American Scientific Publishers, Los Angeles. 2006, p.153-234.

Наукові публікації: 
Тези конференцій: 
Рікіконка для сортування Місто Назва тез | Назва конференції | Автор(и)
2011 Ужгород Quantum cathodes in field emission
V-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
A. Evtukh, H. Mimura, V. Litovchenko.
2011 Вупперталь Resonant Electron-Emission from a Flat Surface AlN/GaN System with Carbon Nanotube Gate Electrode
24th Intern. Vacuum Nanoelectronics Conference
O. Yilmazoglu, L. Considine, D. Pavlidis, H. L. Hartnagel, R. Joshi, J.J. Schneider, H. Mimura, A. Evtukh, M. Semenenko, V. Litovchenko.
2011 Вупперталь Electron emission Si-based resonant-tunneling Diode
24th Intern. Vacuum Nanoelectronics Conference
A. Evtukh, N. Goncharuk, V. Litovchenko, H. Mimura
2011 Вупперталь Generation of low-aberration beams of electrons based on nanosized Si-sponge field emission cathodes.
24th Intern. Vacuum Nanoelectronics Conference
M. Semenenko, A. Evtukh, O. Steblova, V. Litovchenko, O. Yilmazoglu, H.L. Hartnagel, D. Pavlidis
2011 Вупперталь Low-Energy Photon-Assisted Field Emission from GaN Surfaces
24th Intern. Vacuum Nanoelectronics Conference
A. Evtukh, V. Litovchenko, V. Ievtukh, O. Yilmazoglu, H. L. Hartnagel, D. Pavlidis.
2011 Івано-Франківськ Electron transport in nanocomposite SiO2(Si) films
XIII International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”
O. Bratus, А. Evtukh, A. Kizjak
2011 Івано-Франківськ Techological peculiarities of nanocomposite SiOx and SiO2(Si) films obtaining by LP CVD method
XIII International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”
A. Kizjak, А. Evtukh, Yu. Pedchenko.
2011 Івано-Франківськ Silicon nanowires, nanostructured and nanoporous silicon as materials for new generation sensors
XIII International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”
Lepikh Ya., Gordienko Yu., Druzhinin A., Evtukh А., Lenkov S.
2011 Ужгород Электропроводность пленок SiOx и SiO2(Si) полученных методом LP CVD
V-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
А.Ю. Кизяк, А.А. Евтух, Ю.Н. Педченко, О.Л. Братусь.
Керівництво студентами: 
Рік вступу до магістратури ІВТ Студент | Тема дипломної роботи
2010 Куян Михайло Юрійович Куян Михайло Юрійович
Дослідження особливостей польової емісії з Si та SiGe вістрів
Керівництво аспірантами: 
Вступ Статус Дисертант | Тема
2011 2 рік навчання Стеблова Ольга Вікторівна Стеблова Ольга Вікторівна
Електронний транспорт та польова емісія в нанорозмірних напівпровідникових структурах
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov