Литвиненко Сергій Васильович

Візитка
Стан: 
НДЧ-працівник
Науковий ступінь: 
к. ф.-м. н.
Посада: 
Пров. наук. співр., завідувач сектором
Кафедра чи НДЧ-підрозділ: 
НДЧ

Литвиненко Сергій Васильович (05.08.1956, м. Умань Черкас. обл.), канд. фіз-мат. наук, старш. наук. співроб., завідувач лабораторією.

1978 закінчив радіофіз. фак.-тет Київ. ун-ту.

З 1978 – інж., мол. наук. співроб., наук. співроб., старш. наук. співроб.

1988 захистив канд. дис. на тему „Исследование физических процессов в солнечных элементах на основе структуры титан-кремний”.

Осн. напрями наук. діяльності:

фотоелектричні явища та прилади, кремнієві сонячні елементи, границі поділу та поверхня напівпровідників, нанорозмірні явища та прилади, пористий кремній, фіз. та хім. сенсори.

Розробив низку оригінальних методик дослідж. сонячних елементів і батарей. Запропонував нові трансдюсерні принципи для напівпровідникових сенсорів.

Винайшов способи орієнтації сонячних фотоперетворювачів наземного та космічного призначення. Розробив рекомендації з виготовлення та використання пористого кремнію як твердотільного накопичувача водню

. З 2010 року перейшов до Інституту високих технологій.

Автор понад 80 наук. праць, 3 винаходів.

Головні публікації

1. V.A.Skryshevsky, A.Laugier, S.V.Litvinenko, V.I.Strikha, Towards a stable porous silicon layers for silicon solar cells, Proc. 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Wien, Austria, 1998, p.1611-1614.

2. S.V. Litvinenko, S.S. Kilchitskaya, V.A. Skryshevsky, V.I.Strikha, A. Laugier, Application of dynamical optical reflection thermography for detecting of dark current inhomogeneity in semiconductor devices, Appl.Surf.Sci., 137, 1-4, 1999, p.45-49

3. Litvinenko S.V., Ilchenko L.M., Kolenov S.O.,Smirnov E.M., V.A.Skryshevsky,  Series of laser scanning techniques as non-destructive tool for testing solar cells and batteries, Proc.SPIE, 3707, pp.556-564, 1999.

4. S.V.Litvinenko, L.M.Ilchenko, S.O.Kolenov, A.Kaminski, A.Laugier, E.M.Smirnov, V.A.Skryshevsky, Remote control of the I-V characteristics of solar cells in the encapsulated modules, Proc. 16th EC Photovoltaic Solar Energy Conf., Glasgow, 2000,  2410-2413.

5. V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, T.S. Kilchitskaya, S.V.Litvinenko, A.I.Nechiporuk, A.Fave, A.Laugier, Impact of recombination and optical parameters on silicon solar cell with the selective porous silicon antireflection coating, Proc. 16th EC Photovoltaic Solar Energy Conf., Glasgow, 2000, 1634-1637.

6. S. Litvinenko, L. Ilchenko, A. Kaminski, S. Kolenov, A. Laugier, E. Smirnov, V. Strikha, V.Skryshevsky, Investigation of the solar cell emitter quality by LBIC-like image techniques, Mat.Sci.Eng. B, 71, pp.238-243, 2000.

7. S.V.Litvinenko, L.M.Ilchenko, S.S.Kylchitskaya, S.Kolenov, V.Skryshevsky, E.Smirnov, Implementation of laser scanning technique for study of p-n junction parameters, Bulletin Kiev University, Radiophysics and electronics, 3,  55-59, 2001.

8. V.A.Skryshevsky, S.S.Kylchitskaya, T.S.Kylchitskaya, S.V.Litvinenko, O.Nichiporuk, Influence of recombination and optical parameters on the characteristics of solar cells with porous silicon, Bulletin Kiev University, Radiophysics and electronics, 3, 72-77, 2001.

9. S.V.Litvinenko, Nondestructive diagnostics of solar cells in modules and batteries by means of modulated optical beam-induced photovoltaic signal, Solar Energy Materials and Solar Cells, Volume 77, Issue 4, pp.369-376 (2003).

10. S.Litvinenko, A.Kozinetz, V.Skryshevsky, O.Tretyak, Effect of gas environment on the recombination properties of nanostructured layers-silicon interface. In T.Tsakalakos, ed., Nanostructures: Synthesis, Functional Properties and Applications, Kluwer, 2003, 649-654

11. V.A.Skryshevsky, G.V.Kuznetsov, S.V.Litvinenko, A.V.Kozinetz, V.A.Vikulov, T.S.Kilchitskaya, O.V.Tretуak. Gas sensing properties of metal-nanocrystalline silicon-silicon heterostructures. Photonics – 2004. - № 13. – p.25-29.

12. O.Nichiporuk, A.Kaminski, M.Lemiti, A.Fave, S.Litvinenko, V.Skryshevsky, S.Quoizola, A.Laugier. Optimization of interdigitated solar cells based on epitaxial layer transfer. 19th EPVSEC, European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, France, June 2004.

13. Kozinets O.V., Ivanov I.I., Gusak N.M., Lytvynenko S.V., Skryshevsky V.A. Peculiarities of photovoltaic processes in metal – porous silicon – crystal silicon contact. 1st International conf. “Materials of Electronics and Modern Information Technologies”, Kremenchukh, Ukraine, 14–17 April 2004, p. 31–33.

14. O.Nichiporuk, A.Kaminski, V.Skryshevsky, S.Litvinenko, M.Lemiti. MOS-stimulated back-surface passivation of interdigitated solar cells. SCELL-2004, Badajos, Spain

15. A.I. Benilov, A.I. Tsyganova, S.V.Litvinenko,V.A. Skryshevsky, Application of eddy current method for NO/NO2 sensing, . Serial: physics and mathematics. Radiophysics. Kyiv, 8, 2005, 11-13.

16. O.Nichiporuk, A.Kaminski, M.Lemiti, A.Fave, S.Litvinenko, V.Skryshevsky. Self-aligned Back –Contacts Solar Cells. 20th  EPVSEC, Barcelona (Spain), 6-10 June, 2005

17.O.Nichiporuk, A.Kaminski, M.Lemiti, A.Fave, S.Litvinenko, V.Skryshevsky. Applicatioin of thin porous silicon layer  for front surface passivation at at rear-contacts solar cells. EMRS, Strasbourg (France), May 31-June 3, 2005.

18. O.Nichiporuk, A.Kaminski, V.Skryshevsky, S.Litvinenko. MIS-stimulated back-surface passivation of the interdigitated back-contact solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 87 (2005), p.549–555.

19. I.I.Ivanov, V.A.Skryshevsky, S.V.Litvinenko, Numerical simulation of the photocurrent in the thin mеtal-silicon structures with quantum wells, Ukr.J.Phys., 49, 917-920, 2004.

20.  V.A.Skryshevsky, V.G.Litovchenko, M,I,Klyui, S.V.Litvinenko, O.V.Kozinetz, O.I. Nichiporuk, MIS solar cell with porous silicon gate and inversion layer,  Bulletin Kiev University, physics and mathematics, 2006, N2, 346-352.

21. O.Nichiporuk, A.Kaminski, M.Lemiti, A.Fave, S.Litvinenko, V.Skryshevsky. Passivation of the surface of rear contact solar cells by porous silicon, Thin  Solid Films. 511-512, 2006., pp..248-251.

  1. S.Alekseev, D.Barbier, G.Kuznetsov, S.Litvinenko, V.Lysenko, V.Skryshevsky

Nanocrystalline porous silicon as a solid reservoir for hydrogen storage. International Conference «Functional Materials» ICFM ’ 2007, October 1–6, 2007, Partenit, Crimea, Ukraine, p.429.

 

23.              Литвиненко С.В., Алексєєв С.О., Кузнєцов Г.В., Скришевський В.А., Контроль стану пористого кремнію як джерела водню за допомогою оптоелектронного сенсора. //Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. Міжнародна 3-я науково-технічна конференція СЕМСТ-3. Тези доповідей. – Одеса.- 2008. – с.254.

24.              Hydrogen storage in structures based on porous silicon and palladium, Manilov A.I., Alekseev S.A., Litvinenko S.V., Kuznetsov G.V., Skryshevsky V.A., (AP 10P/33), Int.conf. "Functional materials ICFM 2009" Ukraine, Crimea, Partenit, October 5-10 2009.

25.              L. N. Ilchenko, S. O. Kolenov, S.V. Litvinenko, P. V. Molochko, Ukraine  
About Phase Components of Differential-Phase LBIC from p-n Junction Transversal Plane Scanning  , 5th International conference on advanced optoelectronics and lasers, CAOL-2010, September 10-14, 2010, Sevastopol, Crimea, Ukraine

26.              А.І.Manilov, S.V.Litvinenko, S.A.Alekseev, G.V.Kuznetsov, V.A.Skryshevsky. Use of powders and composites based on porous and crystalline silicon in the hydrogen power industry // Ukr. J.Phys. – 2010. – V.55, No.8. – P.928-935.

27.              A.I.Manilov, S.A.Alekseev, V.A.Skryshevsky, S.V.Litvinenko, G.V.Kuznetsov, V.Lysenko. Influence of palladium particles impregnation on hydrogen behavior in meso-porous silicon // Journal of Alloys and Compounds.– 2010. – V.492. – P.466-472.

28.              S.Litvinenko, S.Alekseev, V.Lysenko, A.Venturello, F.Geobaldo, L.Gulina, G.Kuznetsov, V.Tolstoy, V.Skryshevsky, E.Garrone, D.Barbier. Hydrogen production from nano-porous Si powder formed by stain etching // Intern. Journ. of Hydrogen energy.– 2010. – V.35. – P.6773-6778.

29.              А.Ю.Карлаш, Г.В.Кузнецов, С.В.Литвиненко, Ю.С.Милованов, В.А.Скрышевский. Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием // ФТП.– 2010. – Т.44, Вып.10. – С.1387-1393.

30.              S.Litvinenko, S.Alekseev, F.Geobaldo, V.Lysenko, D.Barbier, E.Garrone and V.Skryshevsky. Hydrogen in porous silicon: elaboration, emission, characterization // Materials of the 7th International  conference “Porous Semiconductors – Science and Technology”, Valencia, 14-19 March, 2010, P.409.

31.              Литвиненко С.В., Бєлобров Д.О., Скришевський В.А. Поверхня кремнію як елемент селективних хімічних сенсорів // Тези доповідей 4-ої Міжнародної науково-технічної конференції „Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (СЕМСТ-4), Україна, Одеса, 28 червня-2 липня 2010р., С.207.

 

 

ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov