Ільченко Володимир Васильович

Візитка
Стан: 
Викладач
Науковий ступінь: 
д. ф.-м. н.
Посада: 
Професор, директор ІВТ
Кафедра чи НДЧ-підрозділ: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
Телефон: 
+380 (44) 521-3583
Телефон: 
+380 (44) 252-3566

1960 р.н., доктор ф.-м. наук, професор

Закінчив Київський державний університет ім. Т.Г.Шевченка в 1981 р. Працював на радіофізичному факультеті: 1981-84 рр. – аспірант кафедри фізики напівпровідників; 1984-86 рр. – молодший науковий співробітник НДЧ; 1987-91 рр. – асистент кафедри фізики напівпровідників; 1991-92 рр. - доцент кафедри фізики напівпровідників; 1992-2009 рр. – доцент кафедри напівпровідникової електроніки, 2005-2008 рр. – докторант кафедри напіпровідникової електроніки, 2009-2015рр. заступник директора Інституту високих технологій з навчальної роботи, з 2015 по теперішній час – директор Інституту високих технологій.

В 1987р. захистив кандидатську дисертацію на тему “Дослідження механізмів транспорту в структурах з бар’єром Шотткі на основі аморфного кремнію”.

В 1999-2001 роках знаходився в закордонних відрядженнях в Чао-Тунгському університеті  (Тайвань, Китайська народна республіка) та Індустріальному дослідницько-технологічному Інституті (Тайвань, Китайська народна республіка).

Читає курси: “Основи фізики аморфних напівпровідників”, “Основи високих технологій”, “Комп’ютерне моделювання в природничих науках”, “Телекомунікаційні технології”, “Нанофізика та нанотехнології”.

Проводить теоретичні та експериментальні дослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових наногетероструктур з пониженою розмірністю.

В 2012р. захистив докторську дисертацію на тему Електро-фізичні властивості напівпровідникових гетероструктур з шарами квантових точок та квантових ям”.

В останні роки опублікував ряд робіт по застосуванню релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів та спектроскопії повної провідності для діагностики структур з Ge/Si та InAs/GaAs квантовими точками та InGaN/GaN квантовими ямами. Значна частина наукових робіт присвячена дослідженню ефекту накопичення заряду в кватових точках, вивченню негативної диференціальної ємності та динамічного запам’ятовуваня в структурах з InAs квантовими точками в HEMT структурах на основі GaAs, а також ефекту енергонезалежної нанопам’яті в структурах з нанокластерами Si в SiO2.

Опублікував 5 учбових посібників:

1. Практикум з фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів.- Київ.: НМК,1990 (з грифом Міністерства вищої освіти України) с. 196.
2. Практикум з технології напівпровідників та фізики напівпровідникових приладів.- Київ.: Київський університет , 1996, с. 143.
3. Методичні вказівки до проведення лабораторних робіт з комп’ютерного моделювання.- Київ.: ВПЦ Київського національного університету імені Тараса Шевченка , 2004, с. 16.
4. Фізико-технологічні основи наноелектроніки. Навчальний посібник. Інтерсервіс, 2015, Київ, с. 383.
5. Збірник задач з фізико-технологічних основ наноелектроніки. Практикум. Інтерсервіс, 2015, Київ, с. 65.

Вибрані наукові публікації:

1. V-A characteristic of metall-amorphous silicon contacts for exponential distributionof density of localized conditions V.V.Ilchenko, V.I.Strikha ( "Nauka", Sankt-Peterburg department, Physics and Technics of semiconductors [ Semiconductors ], 1984, V. 18, iss.5, p. 873-876 ).

2. Current transport mechanisms for the metal-amorphous silicon contacts. V.V.Ilchenko, V.I.Strikha (North-Holland Physics Publishing Division, Journal of Non-Crystalline Solids, 1987, V. 90, No.1-3, p. 335- 338).

3. Electrophysical properties of contacts with Schottky barrier on amorphous hydrogenated silicon. A.A.Andreev, V.V.Ilchenko, M.M.Mezdrogina, V.I.Strikha ("Nauka", Sankt-Peterburg department, Physics and Technics of semiconductors[ Semiconductors], 1988, V. 22, iss.3, p. 461-464).

4. CO2-Laser anneling of Al/a-Si:H contact. V.V.Ilchenko, V.A.Skryshevsky, H.Gleskova, V.I.Strikha (Czechoslovak Journal of Physics, 1993, V. 43, No. 2, p. 169-178).

5. DLTS characterization of InAs self-assembled quantum dots. V.V.Ilchenko, S.D.Lin, C.P.Lee, O.V.Tretyak  (2000 IEEE International Symposyum on Compound Semiconductors. – Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International on Compound Semiconductors held in Monterey, California, 2-5 October 2000, p. 43-48).

6. Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots. V.V.Ilchenko, S.D.Lin, C.P.Lee and O.V.Tretyak (Journal of Applied Physics, 2001, V. 89,  No.2,  p.p. 1172-1174).

7. Ilchenko V.V., Lin S.D., Lee C.P., Tretyak O.V., Shkil M.V. Deep level transient spectroscopy evidence of point defects associated with InAs/GaAs quantum dots. Functional Materials, 2003, V. 10, No.4, p.p. 707-710.

8. Shkil M.V., Ilchenko V.V., Tretyak O.V., Chen P.S., Pei Z.W., Tsai M.J. C–V and AS study of self-assembled Ge islands in Si p-n junction. Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2004, No.2, p.15-19.

9. Chen P.S., Pei Z.W., Tsai M.J., Shkil M.V., Ilchenko V.V., Tretyak O.V. C–V and AS study of self-assembled Ge islands in Si p-n junction. WSEAS Transactions on electronics, 2004, April, V. 1, issue 2, p.p. 241-244.

10. Lin S.D., Lee C.P., Ilchenko V.V., Marin V.V., Shkil M.V., Buyanin A.A., Panarin K.Y., Tretyak O.V. Investigation of negative differencial capacitance-voltage dependences of Schottky diodes structures with GaAs/InAs QDs. Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2006, №2, p. 3-9.

11. Lin S.D., Lee C.P., Ilchenko V.V., Sheka D.I., Tretyak O.V., Korol A.M., Nosenko I.V. Coherent tunneling in a semiconductor system: Double barrier resonant-tunneling structure built in the Schottky barrier. Journal of physical studies, 2007, V.11, N.3, p.294-297.

12. Lin S.D., Ilchenko V.V., Marin V.V.et al. Observation of the negative differential capacitance in Schottky diodes with InAs quantum dots near room temperature Appl. Phys. Lett., 2007.- Vol.90, P. 263114(1-3).

13. Ilchenko V.V., Lin S.D., Marin V.V., Shkil N.V., Panarin K.Y., Buyanin A.A., Tretyak O.V. Room temperature negative differential capacitance in self-assembled quantum dots. Journal of Physics D: Appl. Phys., 2008, V. 41, p.p. 235107(1-4).

14. Lin S.D., Ilchenko V.V., Marin V.V., Buyanin O.O., Panarin K.Y., Tretyak O.V. Frequency dependence of negative differential capacitance in Schottky diodes with InAs quantum dots. Appl. Phys. Lett., 2008, V.93, - p. 103103(1-3).

15. Bunak S.V., Buyanin A.A., Ilchenko V.V. , Marin V.V., Melnik V.P. , Khacevich I.M. , Tretyak O.V., Shkavro A.G. Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, V. 13, N 1, p.p. 12-18.

16. Ilchenko V.V., Lin S.D., Marin V.V., Tretyak O.V. Electronic properties of FET structures with QDs layer under the Gate area. Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2011, V. 2(8), No.1, p.79-84.

17. Bunak S.V., Ilchenko V.V. , Marin V.V., Melnik V.P. , Khacevich I.M. , Tretyak O.V., Shkavro A.G. Electrical properties of MIS structures with Si NCs. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, V. 14, No. 2, p. 241-246 .

18. Ilchenko V.V., Marin V.V., Vasyliev I S., Tretyak O.V. Admittance spectroscopy using for the determination of parameters of Si nanoclusters embedded in SiO2. Conference Proceedings of 2014 IEEE 34th International Scientific Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO) (April 15-18, 2014 Kyiv, Ukraine), 2014, p. 86-89.

19. Romanyuk B., Melnik V., Ilchenko V. et al. Structural and electrical properties of oxygen complexes in Cz and FZ silicon crystals implanted with carbon ions. Nanoscale Research Letters, 2015, V. 10(1), p. 693(1-6).

20. Romanyuk B., Melnik V., Il'chenko V. et al. Formation of shallow p-n junctions in Cz Si by low-energy carbon ion implantation. Abstracts of the 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting. ECS Transactions. (Oct. 5-9, Cancun, Mexico, 2014), 2014, V.64 (11), p. 187-198.

21.  Evtukh A., Bratus O., Ilchenko V., Marin V., Vasyliev I. Capacitive Properties of MIS Structures with SiOx and SixOyNz Films Containing Si Nanoclusters. Journal of Nano Research, 2016, V. 39, p. 162-168.

Всього опублікував понад 70 наукових робіт.

Наукові публікації: 
Тези конференцій: 
Рікіконка для сортування Місто Назва тез | Назва конференції | Автор(и)
2011 Ужгород Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si With Ge quantum dots in the space charge region
V Українська конференція з фізики напів-провідників (УНКФН-5)
Ilchenko V.V., Bunak S.V., Marin V.V., Tkachenko V.V., Tretyak O.V., Shkavro A.G.
2011 Ужгород Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si with Ge quantum dots in the space charge region
V-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
V.V.Ilchenko, S.V.Bunak, V.V.Marin, Tretyak O.V. et al.
Керівництво студентами: 
Керівництво аспірантами: 
Вступ Статус Дисертант | Тема
2012 1 рік навчання Васильєв Є. С. Васильєв Є. С.
Механізми транспорту та накопичення заряду в нанорозмірних напівпровідникових гетероструктурах
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov