Ільченко Володимир Васильович

Візитка
Стан: 
Викладач
Науковий ступінь: 
д. ф.-м. н.
Посада: 
Професор
Кафедра чи НДЧ-підрозділ: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
Телефон: 
+38 (044 ) 526-05-82

1960 р.н., доктор ф.-м. наук, професор

Закінчив Київський державний університет ім. Т.Г.Шевченка в 1981 р. Працював на радіофізичному факультеті: 1981-84 рр. – аспірант кафедри фізики напівпровідників; 1984-86 рр. – молодший науковий співробітник НДЧ; 1987-91 рр. – асистент кафедри фізики напівпровідників; 1991-92 рр. - доцент кафедри фізики напівпровідників; 1992-2009 рр. – доцент кафедри напівпровідникової електроніки, 2005-2008 рр. – докторант кафедри напіпровідникової електроніки, з 2009р. і дотепер – доцент кафедри нанофізики конденсованих середовищ, заступник директора Інституту високих технологій з навчальної роботи.

В 1987 р. захистив кандидатську дисертацію на тему “Дослідження механізмів транспорту в структурах з бар’єром Шотткі на основі аморфного кремнію”.

Читає курси: “Мікро- та наноелектроника”, “Основи фізики аморфних напівпровідників”, “Комп’ютерне моделювання в природничих науках”, “Телекомунікаційні технології”, “Нанофізика та нанотехнології”.

Проводить теоретичні та експериментальні дослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових наногетероструктур з пониженою розмірністю.

В останні роки опублікував ряд робіт по застосуванню релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів та спектроскопії повного адмітансу для дослідження структур з Ge/Si та InAs/GaAs квантовими точками та InGaN/GaN квантовими ямами, дослідженню ефекту негативної диференціальної ємності в структурах з InAs квантовими точками в GaAs та Ge квантовими точками в Si а також ефекту нанопам’яті в структурах з Si нанокластерами в SiO2.

Опублікував учбові посібники:
1. Практикум з фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів.- Київ.: НМК,1990 (з грифом Міністерства вищої освіти України).
2. Практикум з технології напівпровідників та фізики напівпровідникових приладів.- Київ.: Київський університет , 1996.

Найбільш яскраві наукові результати опубліковані в наступних роботах:

1. Ilchenko V.V., Lin S.D., Lee C.P., Tretyak O.V. Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots. Journ. Appl. Phys., 89, No.2, 2001, 1172-1174.

2. Shkil M.V., Ilchenko V.V., Tretyak O.V., Chen P.S., Pei Z.W., Tsai M.J. C–V and AS study of self-assembled Ge islands in Si p-n junction, Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2004, No.2, p.15-19.

3. Lin S.D., Ilchenko V.V., Marin V.V., Shkil N.V., Buyanin A.A., Panarin K.Y. and Tretyak O.V. Observation of the negative differential capacitance in Schottky diodeswith InAs quantum dots near room temperature, Appl. Phys. Lett., 90, 2007, p. 263114(1-3).

4. Ilchenko V. V., Panarin K. Y., Buyanin A. A., Marin V. V., Shkil N. V., Tretyak O. V. Modelling of the frequency dependence of capacitance-voltage characteristics of metal-semiconductor contact with quantum dot layer. Journal of physical studies, 2008. V. 12, No.1, p. 1801(1-7).

5. Lin S.D., Ilchenko V.V., Marin V.V., Shkil N.V., Panarin K.Y., Buyanin A.A. and Tretyak O.V. Frequency dependence of negative differential capacitance in Schottkydiodes with InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 93, 2008, 103103(1-3).

6. Ilchenko V.V., Lin S.D., Marin V.V., Shkil N.V., Panarin K.Y., Buyanin A.A., Tretyak O.V. Room temperature negative differential capacitance in self-assembled quantum dots. Journ. of Physics D: Appl. Phys., 2008, 41, p.p. 235107(1-4).

7. Bunak S.V., Buyanin A.A., Ilchenko V.V., Marin V.V., Melnik V.P., Khacevich I.M., Tretyak O.V., Shkavro A.G. Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, V. 13, No.1, p.12-18.

8. Ilchenko V.V., Lin S.D., Marin V.V., Tretyak O.V. Electronic properties of FET structures with QDs layer under the Gate area. Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 2011, v.2(8), No.1, p.79-84.

9. Bunak S.V., Ilchenko V.V., Marin V.V., Melnik V.P., Khacevich I.M., Tretyak O.V., Romanyuk B.N., Shkavro A.G. Electrical properties of MIS structures with Si NCs. Semiconductor  Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2011, v. 14, No. 2, p.241-246.

Всього опублікував понад 60 наукових робіт.

Наукові публікації: 
Тези конференцій: 
Рікіконка для сортування Місто Назва тез | Назва конференції | Автор(и)
2011 Ужгород Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si With Ge quantum dots in the space charge region
V Українська конференція з фізики напів-провідників (УНКФН-5)
Ilchenko V.V., Bunak S.V., Marin V.V., Tkachenko V.V., Tretyak O.V., Shkavro A.G.
2011 Ужгород Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si with Ge quantum dots in the space charge region
V-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
V.V.Ilchenko, S.V.Bunak, V.V.Marin, Tretyak O.V. et al.
Керівництво студентами: 
Керівництво аспірантами: 
Вступ Статус Дисертант | Тема
2012 1 рік навчання Васильєв Є. С. Васильєв Є. С.
Механізми транспорту та накопичення заряду в нанорозмірних напівпровідникових гетероструктурах
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov