Скришевський Валерій Антонович

Візитка
Стан: 
Викладач
Науковий ступінь: 
д. ф.-м. н.
Посада: 
Професор, завідувач кафедрою
Кафедра чи НДЧ-підрозділ: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
Телефон: 
Тел.: +38 (044 ) 526-05-82

Народився 8 грудня 1955 року в м. Києві.

Доктор фізико-математичних наук, професор

Закінчив з відзнакою фізичний факультет Київського університету в 1978 р. В 1978-81 р.р. навчався в аспірантурі фізичного факультету. В 1984 р. захистив кандидатську дисертацію на тему “Оптичні властивості деяких домішок та дефектів структури в GaAs(Cr)” (наукові керівники- проф. Новиков М.М., проф. Вакуленко О.В.), а в 2001 році- докторську дисертацію "Генераційно-рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію".

З 1981 року працював на радіофізичному факультеті Київського університету на посадах молодшого наукового, наукового, старшого наукового співробітника, завідувача сектора, завідувача Проблемної лабораторії, доцента,  з 2002 р. - професора кафедри напівпровідникової електроніки. З 2009 року- завідувач кафедри нанофізики конденсованих середовищ Інституту високих технологій при Київському університеті.

Викладає лекційні курси “Фізичні принципи сенсоріки”, "Оптичні та фотоелектричні явища", “Функціональна оптоелектроніка”, “Напівпровідникові сенсори”, "Відновлювальні джерела енергії " для студентів радіофізичного факультету та Інституту високих технологій. Читав лекції в університетах Німеччини, Франції, Іспанії, Великобританії, Словаччини. Неодноразово працював запрошеним професором в Ecole Centrale та INSA (Ліон, Франція), Technical University (Мюнхен, Німеччина) та Hahn-Meitner Institute (Берлін, Німеччина).

Основні напрямки наукових досліджень- нерівноважні процеси в напівпровідникових гетероструктурах, фізико-хімічні властивості наноматеріалів, напівпровідникові сенсори, сонячна та воднева енергетика. Ним вперше розроблені кремнієві сонячні елементи з дифузійно-розсіючими шарами поруватого кремнію, розвинуто оптичні та фотоелектричні методи дослідження структурно-хімічних неоднорідностей в напівпровідникових гетеропереходах. Створено теорію роботи та експериментально досліджено хімічні сенсори на основі гетероструктур з тонкими шарами поруватого кремнію для детекції водню, вологи, воднево-вуглецевих сполук. Створено новий тип лічильників води і тепла, тверді накопичувачі водню на основі нанопоруватого кремнію для живлення малопотужної побутової апаратури. Розроблено технологію формування стабільних колоїдних розчинів наночастинок карбіду кремнію та кремнію з розміром 1,0-6.0 нм, які характеризуються високим квантовим виходом люмінесценції в ближньому УФ та видимому діапазоні та запропоновано їх використання в якості флуоресцентних міток біоклітин. Розвинуто метод автофільтрації на мембранах мезопористого кремнію  для розмірного  тюнінгу  кремнієвих наночастинок в колоїдних розчинах.

Під його керівництвом захищено 7 кандидатських дисертацій.

Веде значну громадську та науково-організаційну роботу. Вчений секретар Науково-координаційної ради та бюро Державної цільової науково-технічної програми “Нанотехнології та наноматеріали”, вчений секретар Об’єднаної науково-технічної ради Програми розвитку співробітництва в галузі нанотехнологій між МОН України і Федеральним агентством з науки та інновацій Російської Федерації, член секції радіоелектроніки Комітету з Держпремій України в галузі науки і техніки, член редколегії “Вісника Київського університету”. Член 2 спецрад із захисту докторських дисертацій при Київському університеті та Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАНУ, член оргкомітетів міжнародних конференцій з прикладної фізики, електроніки та сенсоріки, дійсний член Американського Нано Товариства. Член ДЕК радіофізичного факультету, член комісій по прийому екзаменів в аспірантуру, здачі кандидатських іспитів за спеціальністю фізика напівпровідників і діелектриків (01.04.10). Неодноразово був офіційним опонентом із захисту докторських та кандидатських дисертацій, членом журі із захисту PhD дисертацій в університетах Франції.

Опублікував більше 250 наукових та науково-методичних праць. Серед них 5 авторських свідоцтв та патентів на винаходи,  3 монографії та 1 навчальний посібник:

1.             В.А.Скришевський, В.П.Толстой, Инфракрасная спектроскопия полупроводниковых структур, Киев, Лыбидь, 1991, 187 с.

2.             V.P.Tolstoy, I.V.Chernyshova, V.A.Skryshevsky, Handbook of Infrared Spectroscopy of Ultrathin Films, Wiley, New York, 2003, 710 р.

3.             В.А.Скришевський, Фізичні основи напівпровідникових хімічних сенсорів, Київ, ВПЦ Київський університет, 2006, 190 с. 

4.             А.П.Оксанич, В.А.Тербан, С.О.Волохов, М.І.Клюй, В.А.Скришевський, В.П.Костильов, А.В.Макаров, Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, Кривий ріг, Мінерал, 2010, 267 с.

 

Наукові публікації: 
Рікіконка для сортування Назва статті | Журнал | Автор(и)
2010 Monitoring of melamine contamination in fat watery milk by the photoluminescence analysis
T. Serdiuk, V. A. Skryshevsky, M. Phaner-Goutorbe, E.Souteyrand
Talanta.- 2010. – V.82. – P.1543-1547.
2010 Особенности внутреннего фотоэффекта оксалатного Cu(II)/Fe(III) комплекса с этилендиамином в диэлектрической полимерной пленке
Н. А. Давиденко, С. В. Дегтяренко, В. Н. Кокозей, А. В. Козинец, О. В. Нестерова, В. А. Скрышевский, С. Л. Студзинский, О. В. Третяк, Э. Н.Чигорин
Физика твердого тела.– 2010. – Т.52, Вып.6. – С.1223-1226.
2010 Photoluminescence properties of silica aerogel/porous silicon nanocomposites
A. Yu. Karlash, Yu. E. Zakharko, V. A. Skryshevsky, A. I. Tsiganova, G. V. Kuznetsov
Journal of Physics D: Appl.Phys. – 2010. – V.43. – P.335405.
2010 Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием
А. Ю. Карлаш, Г. В. Кузнецов, С. В. Литвиненко, Ю. С Милованов, В. А. Скрышевский.
ФТП.– 2010. – Т.44, Вып.10. – С.1387-1393
2010 Особенности атомного и электронного строения оксидов на поверхности пористого кремния по данным Xanes
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. А. Ховив, В. А. Скрышевский, И. В. Гаврильченко
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2010. - № 5. – С.28-33.
2010 Особенности атомного и электронного строения поверхностных слоев пористого кремния
Домашевская Э. П., Терехов В. А., Турищев С. Ю., Ховив Д. А., Паринова Е. В., Скрышевский В. А., Гаврильченко И. В.
Журнал общей химии. - СПб., 2010. - Т. 80, № 6. - С. 958-965
2010 Features of Atomic and Electronic Structure of Oxides on Porous Silicon Surface According to XANES Data
E. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. A. Khoviv, V. A. Skryshevskii, I. V. Gavril’chenko
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, 4 (3), P.384-390
2010 Особенности фотопроводимости полимерных пленочных композитов, содерлащих разнометаллический Fe(II)/Zn(II) комплекс
Н. А. Давиденко, С. В. Дехтяренко, В. Н. Кокозей, А. В. Козинец, В. Г. Маханькова, В. А. Скрышевский, С. Л. Студзинский, О. В. Третяк, Э. Н. Чигорин
Химия высоких энергий - том 44, № 5, Сентябрь-Октябрь 2010, С. 455-457
2010 ВИКОРИСТАННЯ У ВОДНЕВIЙ ЕНЕРГЕТИЦI ПОРОШКIВ I КОМПОЗИТIВ НА ОСНОВI ПОРУВАТОГО ТА КРИСТАЛIЧНОГО КРЕМНIЮ
А.I. МАНIЛОВ, С.В. ЛИТВИНЕНКО, С.О. АЛЄКСЄЄВ, Г.В. КУЗНЄЦОВ, В.А. СКРИШЕВСЬКИЙ
Укр. фiз. журн. 2010. Т. 55, №8 с. 929-936
2009 Thin silicon solar cells with SiОх/SiNx Bragg mirror rear surface reflector
Ivanov I. I., Nychyporuk T. V., Skryshevsky V. A., Lemiti M.
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -2009. -12, №4. –P. 406-411
Тези конференцій: 
Керівництво студентами: 
Керівництво аспірантами: 
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov