Specific features of photocurrent formation in silicon p-n junction with planar amorphous substructure

Назва конференції: 
VIII International conference "Electronic and applied physics"
Назва конференції (тільки ім'я): 
International conference "Electronic and applied physics"
Номер конференції: 
VIII
Країна: 
Україна
Місто: 
Київ
Сторінки: 
103-104
Кількість сторінок: 
2
Вихідні данні тез: 
VIII International conference "Electronic and applied physics", VIII Міжнародна конференція "Електроніка та прикладна фізика", "Specific features of photocurrent formation in silicon p-n junction with planar amorphous substructure ", A. V. Kozinets , радіофізичний факультет Київ Україна, жовтень 24-27, 2012, p.103-104
Рік: 
2012
Дата проведення: 
жовтень 24-27, 2012
Автор(и): 
A.V. Kozinets
Формат: 
Доповідь на секції
Мова: 
Англійська
Організатор: 
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Радіофізичний факультет
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov