Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si With Ge quantum dots in the space charge region

Назва конференції: 
V Українська конференція з фізики напів-провідників (УНКФН-5)
Назва конференції (тільки ім'я): 
Українська конференція з фізики напів-провідників
Номер конференції: 
V
Країна: 
УкраЇна
Місто: 
Ужгород
Сторінки: 
148
Кількість сторінок: 
1
Вихідні данні тез: 
V Українська конференція з фізики напів-провідників (УНКФН-5), Тези. Ужгород, 2011, с. 148
Рік: 
2011
Дата проведення: 
09.10.2011–15.10.2011
Автор(и): 
Ilchenko V.V., Bunak S.V., Marin V.V., Tkachenko V.V., Tretyak O.V., Shkavro A.G.
Мова: 
Англійська
Організатор: 
Наукова рада з проблеми “Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої” при ВФА Національної Академії наук України
Назва підрозділу: 
ІВТ
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov