Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si with Ge quantum dots in the space charge region

Назва конференції: 
V-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
Назва конференції (тільки ім'я): 
Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
Номер конференції: 
V
Країна: 
Україна
Місто: 
Ужгород
Сторінки: 
-
Кількість сторінок: 
0
Вихідні данні тез: 
Investigation of the differential capacitance of p-i-n diodes on basis of Si with Ge quantum dots in the space charge region // Мат. V Української наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-5) Ужгород,
Рік: 
2011
Автор(и): 
V.V.Ilchenko, S.V.Bunak, V.V.Marin, Tretyak O.V. et al.
Мова: 
Англійська
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov