Electron emission Si-based resonant-tunneling Diode

Назва конференції: 
24th Intern. Vacuum Nanoelectronics Conference
Назва конференції (тільки ім'я): 
International Vacuum Nanoelectronics Conference
Номер конференції: 
24th
Країна: 
Німеччина
Місто: 
Вупперталь
Сторінки: 
-
Кількість сторінок: 
0
Вихідні данні тез: 
Electron emission Si-based resonant-tunneling Diode // Technical Digest. 24th Intern. Vacuum Nanoelectronics Conference Wuppertal, Germany
Рік: 
2011
Автор(и): 
A. Evtukh, N. Goncharuk, V. Litovchenko, H. Mimura
Мова: 
Англійська
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov