Оптимізація характеристик сенсорних структур на основі планарного кремнієвого p-n переходу

Назва конференції: 
5-та Міжнародна науково-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології" СЕМСТ-5
Назва конференції (тільки ім'я): 
Міжнародна науково-технічна конференція "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"
Номер конференції: 
5
Країна: 
Україна
Місто: 
Одеса
Сторінки: 
79
Кількість сторінок: 
1
Вихідні данні тез: 
"Оптимізація характеристик сенсорних структур на основі планарного кремнієвого p-n переходу " О. В. Козинець, С. В. Литвиненко, В. А. Скришевський. // Збірник тез доповідей 5-та Міжнародна науково-технічна конференція""Сенсорна електроніка та мікросистемні технології"" СЕМСТ-5, Украъна Одеса 4-8 червня 2012 року c.79"
Рік: 
2012
Дата проведення: 
4-8 червня 2012 року
Автор(и): 
О. В. Козинець, С. В. Литвиненко, В. А. Скришевський.
Формат: 
Доповідь на секції
Мова: 
Українська
Назва підрозділу: 
Кафедра нанофізики конденсованих середовищ
НДЧ
ІНСТИТУТ ВИСОКИХ ТЕХНОЛОГІЙ Матеріали дозволено використовувати на умовах GNU FDL без незмінюваних секцій та Creative Commons Attribution/Share-Alike
Дизайн: Інститут високих технологій
Ivan Ivanov